北京顿思集成电路设计有限责任公司从事射频功率器件的设计★■◆◆、研发◆■★◆、晶圆加工（含MPW）◆◆★★★◆、封装、测试和销售。以顿思的前沿技术和人才优势，采用先进的集成电路、功率器件设计软硬件，依托国际先进的BCD工艺线，成功设计了多个系列高可靠性RF-MOSFET功率器件。

　　顿思公司的射频功率晶体管，主要应用于射频移动通信基站、射频广播◆★、移动无线电、射频能源以及工业◆◆、科研、医疗等众多具有战略重要性的行业领域◆■■★。公司在器件设计、芯片制造■★◆■◆■、芯片封装、芯片测试等一整条产品供应链上达成百分之百的国产化，使得产品具备技术可控、成本更低、周期更短和供货更稳定的优势。

　　顿思公司的主要产品包括射频功率LDMOS器件■★◆、定制化功率MOS器件及其配套的50欧系统解决方案。顿思重点关注射频应用领域产品，应用频率覆盖DC~4GHz，输出功率等级覆盖0.1W~500W，供电电压3.7V~380V◆■★◆■■；拥有塑料封装★■★★◆、金属封装等适应各类应用需求的标准封装和定制化封装外形；有单管、合封模组等各种应用方案。团队成员有十年以上相关行业设计、应用经验★★■◆◆■，可以为客户提供各类解决方案。顿思致力成为RF功率器件专业研发者，专业品质，您的信赖源泉■★★★，期待与您的合作。